真空濺鍍，是真空濺射鍍 膜的簡稱，是一種物理麻豆专区1区二区的方法。真空麻豆专区1区二区主要指一類需要在較高真空度下進行的麻豆专区1区二区，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。

需要麻豆专区1区二区的被稱為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

蒸發麻豆专区1区二区一般是加熱靶材使表麵組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表麵，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。

對於濺射鍍 膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，並使表麵組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表麵，經曆成膜過程，最終形成薄膜。