先說下真空麻豆专区1区二区 和光學麻豆专区1区二区在麻豆专区1区二区概念的區別：

1、真空麻豆专区1区二区是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發並凝結於鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表麵而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鈦、真空鍍鉻等。

2、光學麻豆专区1区二区是指在光學零件表麵上鍍上一層（或多層）金屬（或介質）薄膜的工藝過程。在光學零件表麵麻豆专区1区二区的目的是為了達到減少或增加光的反射、分束、分色、濾光、偏振等要求。常用的麻豆专区1区二区法有真空麻豆专区1区二区（物理麻豆专区1区二区的一種）和化學麻豆专区1区二区。

真空麻豆专区1区二区 和光學麻豆专区1区二区膜厚的區別：真空麻豆专区1区二区一般金屬材料電鍍出來的膜厚度大概是3-5微米。光學麻豆专区1区二区的膜厚測試可以在麻豆专区1区二区機的中間頂上裝置膜厚測試儀即可。早期使用的是光控測試，現在一般用晶振片，使用的是晶振片震動的頻率來測試麻豆专区1区二区的厚度。不同膜層的厚度不同。