真空濺射麻豆专区1区二区 是通過離子碰撞而獲得薄膜的一種工藝，主要分為兩類：陰極濺鍍和射頻濺鍍。陰極濺鍍一般用於濺鍍導體如鋁，銀或半導體如矽。射頻濺鍍一般用於濺鍍非導體如ZnS一SiO2RW格式用鍍層）。

濺鍍的原理，主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表麵；靶材的原子被彈出而堆積在基板表麵形成薄膜。同時用強力磁鐵將電子呈螺旋狀運動，加速靶材周圍的氬氣離子化，使得氬氣離子對陰極靶材的撞擊機率增加，形成雪崩式的狀態，以此提高濺鍍速率。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好。

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