真空麻豆专区1区二区技術 簡單來說就是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。

二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶麵的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶麵作圓周運動，該電子的運動路徑變長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積被陽極吸收。

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