磁控濺射來自於輝光放電中氬離子對陰極靶材產生的陰極濺射作用。磁控濺射麻豆专区1区二区技術有以下幾個優點：

第一，磁控濺射麻豆专区1区二区比電弧離子麻豆专区1区二区的膜層組織細密，粗大的顆粒少。

第二，膜層與基材的結合力優於真空蒸發麻豆专区1区二区。真空蒸發麻豆专区1区二区技術中，膜層原子的能量隻是蒸發時攜帶的熱能，而磁控濺射麻豆专区1区二区技術中膜層粒子的能量是由氬離子與靶材表層原子產生能量交換、動量互換得到的，可以提高膜層與基材的結合力；但是與陰極電弧離子麻豆专区1区二区技術相比，結合力還是很低的。

第三，膜層的成分和靶材成分接近，磁控濺射的膜層是氬離子從靶材上濺射下來的，膜層成分與靶材成分很接近；

第四，膜層繞射性好，磁控濺射麻豆专区1区二区的真空度低，氣體分子的自由程短，碰撞概率大，和蒸發麻豆专区1区二区相比，膜層粒子的散射能力強，繞射性好，膜層厚度均勻。

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